| 第一著者 | 年 | 国 | 概略 | 出版 |
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| W. F. Brinkman | 1973 | 米 | 励起子分子の結合エネルギーを電子とホールの質量の比で計算 | PRB 8 1570 |
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| P. L. Gourley | 1979 | 米 | Siliconにおける励起子分子の研究。BE発光強度励起強度依存性はFE発光強度の二乗に比例する | PRB 20 3319 |
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| Miller | 1982 | | GaAs量子井戸中にある励起子分子について言及した最初の論文 | PRB 25 6545 |
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| D. A. Kleinman | 1983 | | 概略 | PRB 28 871 |
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| S. Charbonnear | 1988 | 加 | 発光のスペクトルおよび時間分解測定から励起子分子と束縛励起子の違いを研究 | PRB 38 3585 |
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| S. Bar-Ad | 1991 | | 過渡吸収測定により二つの励起子準位間における量子ビートの観測 | PRL 66 2491 |
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| B. F. Feuerbacher | 1991 | 独 | DFWMによる励起子分子の初めての観測 | PRB 43 2439 |
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| S. Bar-Ad | 1991 | パ | 概略 | PRB 68 349 |
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| R. T. Phillips | 1992 | 英 | PLとPLEを観測。励起子共鳴励起により、励起子分子効果が大きくなることを示す。励起子分子発光強度がシリコンのように励起強度の2乗に比例しないことを観測。これを励起子と励起子分子の寿命が短いことによるとした。 | PRB 45 4308 |
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| D. J. Lovering | 1992 | | FWMを観測することにより、共鳴励起子分子生成を研究 | PRL 68 1880 |
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| K.-H Pantke | 1993 | | 基底状態-->励起子遷移および励起子-->励起子分子遷移の量子ビートを観測。井戸幅116Åで励起子分子結合エネルギーを1.8 meVと引き出す | PRB 47 2413 |
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| G. Finkelstein | 1993 | パ | 励起子-->励起子分子遷移における円二色性を考慮した感受率の3次の項を計算し、DAおよびFWMに見られる励起子分子に寄与した量子ビートを説明。 | PRB 47 12964 |
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| D. J. Kim | 1994 | | TRFWMにおける励起子分子効果を研究 | PRB 50 5775 |
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| E. J. Mayer | 1994 | 独 | 負の時間に現れるFWM信号を理論的に説明 | PRB 50 14730 |
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| E. J. Mayer | 1995 | | 励起子励起子分子間の量子ビートをとてもきれいに検出。10レベル構造により理論的解釈 | PRB 51 10909 |
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| G. J. Denton | 1995 | | DFWMの励起光偏光角依存性から励起子分子効果を研究 | APL 67 238 |
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| M. Jiang | 1995 | 米 | バルクGaAsにおけるFWMの偏光依存性を研究。lh-lh励起子分子の存在を予言 | PRB 51 6714 |
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| F. Kreller | 1995 | 独 | 概略 | PRL 75 2420 |
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| M. Nakayama | 1995 | 日 | 概略 | PRB 51 7870 |
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| V. Kozlov | 1996 | | 概略 | PRB 53 10837 |
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| D. Birkedal | 1996 | 丁 | ライトホール励起子による励起子分子形成を初めて明らかにする。励起子分子結合エネルギーの井戸幅依存性を明らかにする。Exx/Ex ≒ 0.2。励起子分子結合エネルギーの理論的計算も行い、Exx/Ex ≒ 0.228とした。 | PRL 76 672 |
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| K. B. Ferrio | 1996 | 米 | 位相共役マイケルソン干渉計を用いた四光波混合測定から770THzの非線形光学感受率を観測。これを二光子非輻射励起子分子コヒーレンスを用いて解釈する | PRB 54 R5231 |
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| J. Singh | 1996 | 丁 | 励起子分子結合エネルギーの理論的研究。Exx/Ex ≒ 0.228とした。 | PRB 53 15909 |
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| R. Spiegel | 1997 | | 概略 | PRB 55 9866 |
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| J. J. Liu | 1998 | 中 | 励起子分子結合エネルギーの井戸幅依存性を理論的に研究。実験結果をよく再現 | JAP 84 2638 |
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| H. Ichida | 2001 | 日 | 概略 | PRB 63 195316 |
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| T. Amand | 1997 | 仏 | GaAs量子井戸において成長方向と垂直に磁場を印加したとき、時間分解発光が振動した。これは電子ーホール交換相互作用における重要な情報をもたらす。 | PRL 78 1355 |
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| M. Dyakonov | 1997 | 露 | 概略 | PRB 56 10412 |
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| E. Blackwood | 1994 | 英 | 偏光依存発光の磁場依存性から電子ーホール交換相互作用を研究。 | PRB 50 14246 |
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| S. Glasberg | 1999 | パ | 概略 | PRB 60 R16295 |
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| M.Z. Maille | 1993 | 米 | GaAs量子井戸におけるスピンフリップメカニズムの理論的研究。 | PRB 47 15776 |
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| X. Marie | 1999 | 仏 | n-dopeGaAs量子井戸の発光スペクトル歳差運動からホールのg値を決定。 | PRB 60 5811 |
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| S. Adachi | 1997 | 日 | GaAs量子井戸の過渡吸収および四光波混合から励起子分子の振る舞いを明らかに。励起子分子結合エネルギーの井戸幅依存性を観測。 | PRB 55 1654 |
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