CdMnTeにおける磁気ポーラロン研究の歴史

　CdMnTeにおける磁気ポーラロンの研究をしています。自分の中でその歴史をまとめるために、表を作ってみました。よろしかったら御活用ください。そして、足りないところなどございましたら知らせていただけると幸いです。

第一著者	国	年	概略	出版
M. Nawrocki	1981	波	スピンフリップラマン散乱の磁場依存性。0Tにおいても有限なエネルギーを持つ信号-->Donor-BMP	PRL 46 735
T. Dietl	1982	波	ドナーによるMnの局所的な配向からBMP形成およびラマン散乱の測定結果を説明	PRL 48 355
A. Golnik	1983	波	Mn濃度0％～40％までのCｄMｎTeで系統的に発光を研究。L1発光(0≦x≦0.2に現れる)：中性アクセプターに束縛された励起子、L2発光(0.05≦x≦0.4に現れる)：FMP？FMP実験的に初めて提唱。Mnの再配向が早く起こるときにはFMPが形成されてもよい	JPC 16 6073
D. Heiman	1983	米	CdMnSeにおけるスピンフリップラマンを観測。BMPを考慮	PRB 27 4848
T. Dietl	1983	波	概略	PRB 28 1548
D. Heiman	1984		発光の円偏光度より磁化率の温度変化を観測。磁気ポーラロン形成により磁化率減少	SSC 52 909
D.Heiman	1986	米	CdMnSeとCdMnTeの発光からMPを研究。
J. J. Zayhowski	1987	米	BMP形成時間を時間分解発光の発光エネルギーレッドシフトから見積もる。Mn濃度が高くなるほど、そして温度が高くなるほど遅くなる。	PRB 35 6950
E. D. Isaacs	1988		1K以下におけるスピンフリップラマン散乱を観測	PRB 37 7108
M. Bugajski	1988	米	アクセプター束縛磁気ポーラロンの実験結果を理論を用いてよく説明	PRB 38 10512
D. D. Awschalom	1989	米	概略	PRL 62 199
H. Krenn	1989	墺	HgMnTeにおける光誘起磁化を直接観測。S+s-によるスピンフリップスキャッタリングによるもの	PRB 39 10918
M. R. Freeman	1990	米	CdMnTe量子井戸におけるスピンフリップ散乱を時間分解発光から測定。その結果、スピンスピン交換相互作用が磁場に依存しないことを明らかにした	PRL 64 2430
D. D. Awschalom	1991	米	ZnTe/CdMnSeタイプII量子井戸におけるMP形成を研究。スピンフリップ散乱による光誘起磁化を観測。spin-lattice緩和およびMPの形成プロセスの井戸幅依存性を議論。	PRL 66 1212
H. Akinaga	1992	日	概略	PRB 46 13136
V. F. Aguekian	1993		未読	SSC 86 205
W. E. Hagston	1994	英	ABMPおよびDBMPを理論的に研究。実験結果をよく説明。ホール質量が温度上昇とともに減少する可能性を提唱。DBMPが壊れるのは４T以上	PRB 50 5264
G. Mackh	1994		選択励起発光測定のより、局在磁気ポーラロンの振る舞いを研究	PRB 49 10248
T. Dietl	1995	波	MPの形成時間に関する理論的な研究。早いMP形成時間をnonscalar spin-spin interactionにより説明。最初に下記のようなMP形成プロセスを過程・few ps：励起子が不純物もしくは磁化陽動による局在状態につかまる。同時に、光誘起キャリアのスピン偏極は磁性イオンとのスピン交換、スピン軌道結合、もしくは電子ーホール交換相互作用によって失われる・そのあと励起子は数百ピコ秒残るがそのとき、①局在状態間のトンネリング②輻射および非輻射緩和③sp-d交換相互作用によりMPを形成。また、スピン保存則を破りMnのスピン配向を許す機構は何なのか。という問題点も提唱。	PRL 74 474
S. Takeyama	1995	日	Mn濃度10~35%試料において発光からMPを研究。Mn濃度5~10%においてMPは最も安定。MPの初期局在として合金ポテンシャル揺動は不必要	PRB 51 4858
S. Takeyama	1995	日	Mn濃度12%および15%試料において発光の温度磁場依存性からMPを研究。0.5-1TにおいてMP効果最大。3.5 Tで消滅	PRB 52 1444
R. Hellmann	1996	独	CdMnTe/CdMnMgTe量子井戸の時間分解発光からMP形成時間を議論。MP形成時間がレーザーの繰り返し時間に依存することを示す。→レーザーのパルス間隔（13ns）では平衡状態に戻っていない。	JCG 159 976
D. R. Yakovlev	1997	露	概略	PRB 56 9782
J. Miao	1997		FEMPの形成を理論的に計算。FEMPが30K以下で形成と予測	JAP 81 6297
C.A. Huber	1987	米	Acceptor BMPによるバンド間吸収。Mn濃度5％のCdMnTeにおいて研究	PRB 36 5933
R. Rupprecht	1998	独	bulk-CdMnTeにおけるコヒーレントラマン散乱を観測。MP効果は観測されなかった。	PRB 58 16123
S. Takeyama	1998	日	時間分解発光によりMPを研究。発光ピークの温度変化より合金ポテンシャルとMPによる効果を判別	JCG 184/185 917
Yu.G. Semenov	1998	仏	低次元系でのMP結合エネルギーを理論的に計算	PRB 57 6540
S. Takeyama	1999	日	バルクおよびCdMnTe量子井戸における磁気ポーラロンの研究	MSE
M. Umehara	2000	日	BMPの理論的な研究	PRB 61 12209
M. C. Debnath	2000	日	概略	JAP 87 6457
M. Umehara	2003	日	APFによる励起子局在を考えることによりMPの局在エネルギーを計算。実験結果をよく説明。	PRB 68 193202
M. Umehara	日	2003	自己束縛励起子MPの理論的研究。現実的な定数を用いた計算から1K以下におけるFEMPの形成を否定。合金ポテンシャル揺動を考えることにより、FEMPの形成を予測	PRB 67 035201
C.S. Snow	2001	米	(Eu,La)B6とEuOにおけるモット金属半導体転移と磁気ポーラロンの関係を述べる。	PRB 64 174412
著者	年		概略

PRL : Physical review letters PRB : Physical review B JOL : Journal of Luminescence JAP : Journal of applied physics JCG : Journal of crystal growth JPC : Journal of physics C MSE : Materials Science and Engineering B 世界の国・漢字略称　コヒーレントラマン散乱とインコヒーレントラマン散乱

磁気ポーラロン以外のCdMnTeにおける研究

仏仏

第一著者	国	年	概略	出版
G.R. Wagmer	1973	米	CdS中のMnスピンのスピン格子緩和を観測。	PRB 8 3103
J. M. Rowe	1974		CdTe中におけるフォノンの効果を研究。	PRB 10 671
J. A. Gaj	1979	仏	CdMnTeのsp-d交換相互作用定数N0a=0.22 eV、N0b＝-0.88 eVを導出	SSC 29 435
Le Si Dang	1982		CdTeにおけるサイクロトロン共鳴を観測し、電子の有効質量me=0.096xm0およびホールの有効質量me=0.6xm0を求める	SSC 44 1187
A. Balazarotti	1984	伊	EXAFS法によりCdTeとMnTeの結合長を観測	PRB 30 2295
H. Krenn	1985	墺	HgMnTeにおいて光誘起キャリアによるMnスピン強磁性配向を観測	PRL 55 1510
B.E. Kremer	1985	米	CdMnTeにおけるマイクロ波長ファラデー回転を使ったEPR	PRB 32 5591
D. U. Brtholomew	1986		磁場印加によるバンド間FRを観測。	PRB 34 6943
F. Minami	1987	日	GaSe、AlAs / GaASs、CdMnTeを試料として用い、時間分解発光からフォノンによる励起子エネルギー緩和を研究。すべての試料において数百ピコ秒かかる励起子エネルギー緩和を観測	JOL 38 84
D.D. Awschalom	1987	米	Cd0.8Mn0.2Teにおける光誘起磁化の研究。ポンプープローブ法を応用したスクイッドによりポンプ光により励起された磁化を直接観測。MP形成による磁化誘起を測定し、その形成時間を250psと求めた。またMP形成がMnスピンのスピン格子緩和時間により決まることを明らかにした。Mnスピンのスピン格子緩和時間を単フォノン放出プロセスから求めている。	PRL 58 812
E. D. Isaacs	1988		スピンフリップラマン分光および磁化測定から最近接交換定数J/k=-6.1±0.2K、s-d交換定数αN=211±10meVを求める	PRB 38 1988
J. K. Furdyna	1988	米	CdMnTe研究のレビュー。超便利	JAP 64 R29
V. Chab	1988	独	CdMnTeのバンド構造を理論的に計算	PRB 38 12353
H. Krenn	1989	豪	CdMnTeおよびHgMnTeの光誘起磁化に対する理論的解釈	PRB 39 10918
G. Bastard	1990	米	CdMnTe量子井戸におけるスピンフリップ緩和時間の理論的研究	PRB 41 7899
Xiaomei Wang	1990		60TまでのFRを観測。第二近接交換定数J/k=-1.1Kを求める。	PRB 41 1135
G. Bastard	1990	米	CdMnTe量子井戸における電子スピン緩和時間を理論的に研究。	PRB 41 7899
R. Ferreira	1991	仏	CdMnTe量子井戸におけるホールスピン緩和時間を理論的に研究。	PRB 43 9687
E. D. Issacs	1991		150TまでのFR観測から、超強磁場における磁化の飽和を観測	PRB 43 3351
S.I. Gubarev	1991	独	共鳴励起によるスピンフリップラマン散乱の起因について議論。電子が示すスピンフリップラマンを観測。	PRB 43 14568
J. Frey	1992	仏	Cd0.75Mn0.25Teにおける光誘起ファラデー回転の研究
T. Strutz	1992		磁場下におけるMnスピン緩和過程を観測	PRL 68 3912
P. Peyla	1992		CdMnTe量子井戸のフォイクト配置におけるエネルギー準位を理論的に計算	PRB 47 3783
J. F. Smyth	1993	米	概略	PRL 71 601
M. Hirsch	1993		概略	PRB 48 5217
P. Peyla	1993	仏	CdTe/CdMnTe量子井戸の磁場下におけるゼーマン分裂を観測。低磁場においては結晶成長方向が量子化軸だが、磁場印加とともに磁場方向が量子化軸となる過程を研究	PRB 47 3783
J.F. Smith	1993		ZnMnSe/ZnSe量子井戸における時間分解発光測定からのスピン散乱	PRB 71 601
M. Hirsch	1993	独	共鳴励起によるスピンフリップラマン散乱が励起子準位を介していることを確認。	PRB 48 5217
J. J. Baumberg	1994		ZnMnSe/ZnCdSe量子井戸における光誘起磁化をFPを用いて観測	PRL 72 717
D.A. Tulchinsly	1994	米	概略	PRB 50 10851
S.A. Crooker	1996	米	ZnMnSe系における光でのMnスピン操作をフォイクト配置におけるPIFRの歳差運動から研究。電子およびホールのスピン緩和が磁場に依存することを明らかにしている。	PRL 77 2814
A.V. Akimov	1997	露	CdTeにおけるヒーティングの研究。マイクロ秒オーダーと、非常に長く続く	PRB 56 12100
R. Akimoto	1997	日	CdTe/CdMnTe量子井戸における電子スピン緩和の井戸幅依存性から、s-d交換相互作用による電子スピン緩和を研究	PRB 56 9726
S.A. Crooker	1997	米	CdMnTe量子井戸における光誘起ファラデー回転を用いた研究のまとめ	PRB 56 7574
R. Akimoto	1998	日	概略	PRB 57 7208
R. Akimoto	1998.12	日	CdTe/CdMnTe量子井戸における磁化の複数光パルスによる磁化制御の実現。	JAP 84 6318
A.V. Kimel	2000	露	室温におけるCdTeのスピン緩和過程をカー回転から観測。	PRB 62 R10610
C. Camilleri	2001		n-およびp-typeドープCdMnTe/CdMgTe量子井戸におけるスピン緩和を研究。電子スピン緩和のMn濃度依存性、電子スピン緩和はMnとの交換散乱によることを明らかにしている。	PRB 64 085331
W. Maslana	2001	波	CdMnTeにおいてファラデー回転の波長依存性を非常によく説明	PRB 63 165318
Y. H. Matsuda	2002	日	電子サイクロトロン共鳴のMn濃度依存性を観測。Mn濃度の上昇とともに電子の有効質量増加。温度の上昇とともに有効質量増加	PRB 65 115202
Y. H. Matsuda	2002	日	概略	PRB 65 115202
Y.G. Semenov	2002	宇	揺らいだポテンシャル中におけるホールスピンの緩和過程を理論的に計算	PRB 66 113302
F. Teppe	2003		概略	PRB 67 033304
A.V. Koudinov	2003		概略	PRB 67 115304
D. Scalbert	2004	仏	概略	PRB 70 245304
C.J.P. Snuts	2004	米	概略	PRB 70 115307
D. Scalbert	2004	仏	p-doped CdMnTeにおけるソフトモードについて研究	PRB 70 245304
C.J.P. Smits	2004	米	概略	PRB 70 115307
著者	年		概略
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