磁性体

　自分の中でその歴史をまとめるために、表を作ってみました。よろしかったら御活用ください。そして、足りないところなどございましたら知らせていただけると幸いです。

ダンピングに関する論文捷克

第一著者	年	国	概略	出版
D. Weller	1995,11	米	XMCD測定を駆使して、スピン角運動量と軌道角運動量の大きさを直接評価。Au/Co/Au試料において膜厚が小さくなると、スピン角運動量は不変だが、面直方向の軌道角運動量が増大することを示した。	PRL 75 3752
R. Arias	1999,5	米	２マグノン散乱に関する理論計算。磁化が面直方向を向いているとき、２マグノン散乱の寄与は小さくなることを示唆。	PRB 60 7395
R. Urban	2001,11	加	Fe薄膜の多層膜化によるダンピングへの影響を研究。多層膜化により、ダンピングが大きくなることを明示。Bergerによるnonlocal Gilbert damping in magnetic multilayersの予言とよく一致。	PRL 87 217204
R. Urban	2001,12	加	Cr/Fe/GaAs(001)膜のFMRの角度依存性を議論。面直磁化膜ではintrinsicなα、面内磁化膜ではintrinsicなαとextrinsicなαの和だと指摘。	PRB 65 020402
Y. Tserkovnyak	2002,5	米	金属薄膜におけるギルベルトダンピングがSpin-pumpingによって強まることをを理論的に研究。膜厚が薄くなるにつれてダンピングファクターが大きくなる過去の実験研究をよく説明。	PRL 88 117601
J. Kunes	2002,6		スピン軌道相互作用を考慮した第一原理計算による、Fe、CoとNiにおけるダンピングの理論計算。Gilbertは最初、αはテンソルであることを示唆していると述べている。	PRL 65 212411
A. Yu. Dobin	2003,4	米	４マグノン散乱によるダンピングに関する理論研究。薄膜試料で磁化の才差運動の振幅が大きいときに、ダンピングは４マグノン散乱の寄与が支配的になると示唆。才差運動の振幅が大きいほうが、小さいときよりも緩和が早いことも示唆。	PRL 90 167203
R. D. McMichael	2003,6	米	試料のインホモを考慮した、ダンピングの理論研究。理論計算より求めた線幅が、2マグノン散乱と一致することを示唆。	PRL 90 227601
J. Lindner	2003,8	独	Fe薄膜（４ML）におけるFMRから、in-plane four-fold anisotropyを介した２マグノン散乱によりダンピングが起きていることを示唆。	PRB 68 060102(R)
S. Sugahara	2004,1	日	スピンMOSFETの提案。	APL 84 2307
B. Heinrich	2004,6	加	NiMnSbにおいて、面内と面直方向に磁場を印加してFMRを観測。面直に磁場を印加するにつれてFMRの線幅が増大することを観測し、２マグノン散乱によるものと結論づける。	JAP 95 7462
T. L. Gilbert	2004,11	米	Gilbert自身による、Gilbert damping項の解説。	IEEE 40 3443
G. Woltersdorf	2005,7	加	Au、PdとCrをキャップ層に使ったFe薄膜の顕微TRMOKE測定。ダンピングの周波数依存性などから、２マグノン散乱などを議論。	PRL 95 037401
C. Kaiser	2005,7	米	概略	PRL 95 047202
D. Steiauf	2005.8	独	ナノ構造をもつ磁性体におけるダンピングが示す異方性を理論的に研究した、極めて有用な論文。	PRB 72 064450
M. Djordjevic	2006,5	独	NiにおけるAOFMR。ダンピングファクターαの磁場依存性を議論しているが、解析がサイン関数かける指数関数のもので信用できず。	JAP 99 08F308
C. D. Stanciu	2006,6	蘭	GdFeCoの光誘起歳差運動の温度依存性を詳しく観測。補償温度付近において、αが大きく変化することを確認。	PRB 73 220402
A. Comin	2006,11	伊	微細加工したFeNiへの光照射により誘起されるフォノンと磁化の緩和過程。	PRL 97 217201
A. Barman	2007,5	米	Niのダンピングファクターと磁気異方性のサイズ依存性を研究。ダンピングファクターは、２マイクロメートルよりも小さいものより大きいものが、２～３倍の急激なとびを示すことを発見。この変化を、in-planeとout-planeの歳差運動のモードに帰結。私の研究と関連が高いと思われる！	APL 90 202504
C. D. Stanciu	2007,5	蘭	GdFeCoにおけるTRMO信号の観測。単磁区と多磁区での試料における信号から、ヒーティングによる寄与と比熱的な寄与を分離。円偏光照射によるスピン注入に関しても言及。	PRL 98 207401
E. M. Hankiewicz	2007,5	米	スピン軌道相互作用を考慮したギルバートダンピングとクーロンドラッグに関する研究。αの異方性を詳しく議論。ただ、難しすぎる。	PRB 75 174434
T. Eimuller	2007,7	独	Fe/GdにおけるXMCDから才差運動を観測。格子温度の緩和より才差運動の緩和のほうが長いことが驚くべきことと指摘（それで？）。	APL 91 042508
H. B. Zhao	2007,8	米	TR-MSHG法を用いて、Fe/AlGaAs試料における表面の磁化際差運動を観測。TRMO法と併用することで、表面とバルクでの磁化際差運動を区別することに成功。	APL 91 052111
Kh. Zakeri	2007,9	独	Fe3SiにおけるFMR測定から、2マグノン散乱による磁化のダンピングの寄与を明示したすばらしい論文。２マグノン散乱は以下の特徴をもつ。磁化が＜100＞よりも＜110＞と平行なときのほうが強い。膜厚が厚いほうが強い。面直磁化では弱い。	PRB 76 104416
P. Landeros	2008,6	智利	面直磁化膜での２マグノン散乱によるダンピングを理論的に研究。磁化と試料面のなす角度が増大するにつれて、ダンピングは小さくなる。これは、私の研究結果とコンシステントである。	PRB 77 214405
T. Kato	2008,11	日	GdFeCoでのポンプロ。ｇ因子、周波数、そしてαのGdの濃度依存性を詳しく観測。	IEEE 44 3380
K. Aoshima	2008,11	日	GdFeを使った磁気光学光変調器の提案。	IEEE 44 2491
J. Walowski	2008,12	独	Fe0.8Ni0.2におけるAOFMRの結果。ダンピングファクターαの磁場依存性を議論していることが興味深い。議論自体は、難解すぎて理解困難。	PRL 101 237401
Y. H. Ren	2009,2	米	CoFe/PtMn/CoFe膜におけるTRMOの観測。３つの共鳴モードを観測し、exchnage-dominated spin wave excitationとnonhomogeneous dipole modeに同定された。α＝0.012と計算した。	JAP 105 07D304
M. C. Hickey	2009,4	米	ギルバートダンピングのダンピングファクターを、ディラック方程式を解いて定式化。ダンピングファクターがテンソルになることも示唆。	PRL 102 137601
M. C. Langner	2009,5	米	SrRuO3におけるTRMO測定。バンドフィリングとAHEとの関係を示唆。	PRL 102 177601
Ji-Wan Kim	2009,5	韓	TbFe膜（50 nm）への光照射によりサブピコ秒におこるスピン系のヒーティングを観測。	APL 94 192506
J. Seib	2009,5	独	ダンピングファクターが異方性をもつと仮定したときの、FMRの線幅に関する理論研究。FMRの線幅も異方的にはなるが、その寄与はあまり大きくない可能性があるを示唆。	PRB 79 092418
Kobayashi, K	2009,6	日	FeとNiFeにおけるダンピングの磁化ベクトル依存性。	IEEE Magn. Trans 45, 2541
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スピン注入磁化反転に関する論文

第一著者	年	国	概略	出版
L. Berger	1996,1	米	スピン注入磁化反転を切り開いた2本の重要な理論研究のうちの1つ。積層した磁性ー非磁性薄膜に電流を流すと、増幅されたスピン波が出てくることを理論的に示唆。	PRB 54 9353
E. B. Myers	2002,10	米	Cu/Co/Cu/Co/Au試料におけるスピン注入磁化反転を観測。熱励起による寄与を議論しているが、ほとんど理解できず。	PRL 89 196801
Z. Li	2003,7	米	スピントランスファートルクに関する極めて有用な理論研究。スピントランスファートルクが流れている条件下では、磁化と有効内部磁場との角度が平行ではなく磁化が歳差運動をし続けるが安定した条件が実現することを示唆。ただし、αが存在するので、定常状態とはなりえないことも言及（αがゼロの向きを向くときは、どうなのか？）。テレグラフノイズの起源を説明。スピン注入磁化反転の時間も見積もる。	PRB 68 024404
S. Urazhdin	2003,10	米	Py/Cu/Py試料におけるスピン注入磁化反転の温度依存性。その振る舞いを、電流に依存する有効な磁気温度によるポテンシャルバリアの熱励起過程によるものと解釈した。	PRL 91 146803
S. I. Kiselev	2004,7	米	Co/Cu/NiFeの面内磁化膜に面直磁場方向を印加して研究。理論と実験との整合性があまり取れていないことを示唆。解釈は解読できず。	PRL 93 036601
S. Mangin	2006,5	米	面直磁化膜材料において始めてスピン注入磁化反転を観測。	NM 5 210
L-J Lee	2004,12	国	スピン波励起に関する論文。	TestNM 3 877
Y. Jiang	2004,6	日	スピンバルブにおける初めてのスピン注入磁化反転。	NM 3 361
S. Mangin	2006,3	米	垂直磁化膜における初めてのスピン注入磁化反転。	NM 5 210
Y. Acremann	2006,6	米	時間分解ｘ線イメージングによる磁化反転プロセスの初めての報告。	PRL 96 217202
A D. Kent	2007,6	米	ナノマグネット振動子のニュース記事	NM 6 399
M. Tsoi	年	米	スピントルクの観測に関するニュース。	NP 4 17
D. Houssameddine	2007,4	仏	垂直偏向子を用いたスピントルク振動子の研究。	NP 6 447
C. Chappert	2007,11	仏	スピン注入磁化反転を用いた記録デバイスに関する研究のレビュー。	NM 6 813
D. D. Awschalom	2007,3	米	半導体スピントロニクス研究のレビュー	NP 3 153
O. Boulle	2007,5	仏	スピン波励起の角度依存性。	NP 3 492
H. Kubota	2007,11	日	スピントランスファートルクの定量的な決定。産総研安藤グループ。	NP 4 37
J. P. Strachan	2008,6	米	時間分解ｘ線イメージングを使って、CoFe薄膜のスピン注入磁化反転過程を解明。Vortex-driven switchingとstochastic C-state flipover switchingを説明。実験結果を、LLG方程式に基づく理論計算を用いて、定量的に説明。	PRL 100 247201
A. M. Deac	2008,8	日	MgO膜を使ったTMRデバイスでのスピン波励起	NP 4 803
H. Ade	2009,3	米	X線を用いた磁気観測のレビュー	NM 8 281
V. Chembrolu	2009,7	米	PRL 100 247201のフルペーパー。スピン注入磁化反転についてとても詳しく説明しており、とてもよい論文。	PRB 80 024417
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磁気異方性に関する論文

第一著者	年	国	概略	出版
G. E. Roberts	1977,9	米	GdFe、HoCo、DyCoの磁気特性に関する実験研究。多くのパラメーターを精度よく決定。	IEEE Trans. Mag. 13, 1535
T. Katayama	1977,9	日	GdFeとGdCoの面直異方性の起源について議論し、その振る舞いから、起源が異なることを示唆。
A. Gangulee	1978,3	米	平均場を用いた、GdFe薄膜（500 nm）の磁気特性に関する研究。多くのパラメーターを精度よく決定。	JAP 49, 1762
J. Hong	2006,11	韓	Fe/Co/Cuフィルムの磁気異方性の膜厚依存性を理論研究。実験結果との比較から、ブリリアンゾーンの中心部におけるスピン軌道相互作用が磁化反転プロセスにとても重要。	PRB 74, 172408
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