スピン緩和過程の研究の歴史

　スピン緩和過程の研究をしています。自分の中でその歴史をまとめるために、表を作ってみました。よろしかったら御活用ください。そして、足りないところなどございましたら知らせていただけると幸いです。

bulk GaAs, InPそしてCdTeにおけるｇ因子の温度依存性そして濃度依存性を観測。

第一著者	年	国	概略	出版
K. Zerrouati	1988		p-type GaAsにおけるスピン緩和過程を研究。	PRB 37 1334
T. Uenoyama	1990		概略	PRL 64 3070
T. C. Damen	1991	米	GaAs量子井戸のスピン緩和過程を時間分解発光から研究。ホールスピン緩和：4 ps、電子スピン緩和：励起強度、励起波長により変化	PRL 67 3432
T. C. Damen	1991	米	GaAs / AlGaAs量子井戸における電子およびホールのスピン緩和過程を解明	PRL 67 3432
J. B. Stark	1992	米	GaAs量子井戸における偏光依存過渡吸収測定を観測。励起子密度~2x10^11 [cm^-2] ~ 1 ps：hh励起子（σ-、σ-）-->1.8 meVブルーシフト　（σ+、σ-）->0.5 meVレッドシフト：励起子励起子相互作用、lh励起子（σ+、σ-）->0.7 meVブルーシフト：フェーズスペースフィリング 12Tの磁場下:励起子は1/3位に小さくなる。hh励起子（σ-、σ-）->0.5 meVブルーシフト　（σ+、σ-）->0.2 meVレッドシフト：励起子励起子相互作用	PRB 46 7919
J. J. Baumberg	1994	米	PIFRを用いてZnMnTe超格子におけるMnスピン緩和の研究。スピンフリップ散乱によるMnスピンの強磁性配向を観測。	PRB 50 7689
S. Adachi	1996	日	GaAs / AlGaAs量子井戸におけるLH励起子スピン緩和を解明。LH励起子->HH励起子スピン緩和がサブピコ秒で起こることを明らかにした。	APL 68 964
J. Frenandez-Rossier	1996	西	概略	PRB 54 11582
M. Oestreich	1996	独		PRB 53 7911
J. M. Kikkawa	1997	米	室温における二次元電子ガスのスピンメモリーについてまとめている。	SCIENCE 277 1284
J. M. Kikkawa	1998	米	Resonant Spin Amplificationの初めての論文。n-type GaAsのスピン緩和が100nsまで伸びることを確認。	PRL 80 4313
P. Le. Jeune	1998	仏	概略	PRB 58 4853
H. Nickolaus	1998	独	概略	PRL 81 2586
J.M. Kikkawa	1999	米	光励起スピン偏極状態を電場を用いて引きずらせた。	NATURE 397 141
Y. Ohno	1999	日	GaAs(110)におけるスピン緩和過程を偏光依存過渡吸収測定から詳しく研究	PRL 93 4196
Y. Ohno	1999	日	概略	Nature 402 790
M. Paillard	2001	仏	自己形成InAs/GaAs量子ドットにおけるスピン緩和過程がその低次元性によりクエンチされることをアップコンバージョンを用いた時間分解発光から明らかにする。	PRL 86 1634
R.I. Dzhioev	2002	露	n-GaAsにおけるhyper-fine効果によるスピン緩和過程を励起強度変化から操作。	PRL 88 256801
N. Garro	2003	西	Co-circular	PRB 67 121302
Y. Kato	2003	米	電場によるスピンコヒーレンスの制御を実現	SCIENCE 299 5610
Y. Kato	2004	米	歪によるスピンコヒーレンスの制御を実現	NATURE 427 50
I. Zutic	2004	米	スピントロニクスにおけるレビュー	RMP 76 323
B. Beschoten	63	米	PIFRを用いたGaNにおけるスピン緩和過程の研究。スピン緩和時間は20ns位続く試料もある。	PRB 63 121202
X. Marie	1999	仏	GaAs/AlGaAs量子井戸において、フォイクト配置での発光円偏光度からHHスピンの歳差運動を観測	PRB 60 5811
A.P. Heberle	1994	独	概略	PRL 72 3887
著者	年		概略
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スピン緩和機構（東北大大野研より）