□HSMAC法を用いた3次元SiGe融液内解析(part 3/2001年度/10月〜)
keywords: SiGe; HSMAC法; 3次元一般座標系; 超限補間法
□共役残作法を用いた化合物半導体結晶(CdZnTe)成長解析
keywords: 共役残作法(CR法); CdZnTe; Microgravity; Marangoni convection; Segregation; VGF法
keywords: CdZnTe; Microgravity; Marangoni convection; Segregation; SOR法 ;VGF法