| 会社名 |
有限会社ライトム |
| 設立年月日 |
平成16年7月23日 |
| 資本金 |
\4,000,000 |
| 取締役 |
後藤 俊介 |
|
|
| 本社 |
〒020-0866 岩手県盛岡市本宮２−２９−７ |
|
TEL & FAX 019-681-3878 |
|
E-mail light-gotou@r8.dion.ne.jp |
|
| 業務内容 |
■研究開発支援（半導体・電子デバイス及び各種ＭＥＭＳ） |
|
・フォトマスク設計/製作：EB描画、 |
|
・薄膜形成：熱酸化膜、スパッタ膜(Al,Ti,Cr,Au,Pt,ITO,SiO2,ZnO,AZO等） |
|
各種アニール（真空,02,N2,Ar及びその混合雰囲気中） |
|
・レジスト塗付：スピンコーター |
|
・パターン形成：ｇ線両面マスクアライナー |
|
・ｗｅｔエッチング：Ａｌ,Ti,Cr,Au,Pt,Cu等の金属薄膜、SiO2,ZnO等の酸化物薄膜 |
|
及び、HF-HNO3系によるSiの等方性エッチング、並びにKOH |
|
TMAH,ヒドラジンによるSi(100),(110)の異方性エッチング |
|
・dryエッチング：ICP-RIEによるSiO2,ZnO及び、ボッシュ方式によるSiのdeep |
|
エッチ、イオンミリングによる各種薄膜のエッチング |
|
・ダイシング：Si,ZnO,Al2O3,MgO,SiO2及び各種膜付き基板 |
|
|
■シリコン単結晶及び、各種ウェハー加工販売 |
|
・CZ,MCZ,FZインゴット、2"〜12"及び、不定形ウェハー |
|
・NTD,酸素析出処理、DZIG及び、エピタキシャルウェハー |
|
|
■シリコンウェハー結晶欠陥評価 |
|
・OSF,酸素析出欠陥(BMD),COP,スリップライン等 |
|
・電気的特性評価用ダイオード作製 |
|
|
■基板、プロセス及び、デバイス評価 |
|
・FTIR,AFM,XRD,ESCA,AES,EDX,FIB,エリプソメーター,PL,ホール効果測定装置 |
|
I-V,C-V,抵抗率測定（四探針、非接触）,段差計等 |
|
ホーム
