加工例　１
（熱酸化膜）
						＜作製条件＞
						フォトマスク：Crマスク（EB描画）
						N-Si(100) ROU　mirror polish
						熱酸化膜：0.9μｍ(wetO2)
						レジスト：1.4μｍ(HPR204)
						露光：両面アライナーｇ線
						熱酸化膜除去：HF-NH4F
						Siエッチング：TMAH20wet%95℃
Ｆｉｇ１：TMAHにより作製したシリコンピット及び熱酸化膜傘
加工例　２
（熱酸化膜）						＜作製条件＞
						フォトマスク：Crマスク（EB描画）
						N-Si(100) ROU　mirror polish
						熱酸化膜：0.9μｍ(wetO2)
						レジスト：1.4μｍ(HPR204)
						露光：両面アライナーｇ線
						熱酸化膜除去：HF-NH4F
						Siエッチング：ICP-RIE(C4F8-SF6)
Fig2：ICP-RIEにより作製したシリコンピットとシリコンバー
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